ඉලෙක්ට්‍රොනික සංරචක IC චිප්ස් ඒකාබද්ධ පරිපථ IC TPS74701QDRCRQ1 එක් ස්ථානයක් මිලදී ගන්න
නිෂ්පාදන ගුණාංග
| TYPE | විස්තර |
| වර්ගය | ඒකාබද්ධ පරිපථ (ICs) |
| Mfr | ටෙක්සාස් උපකරණ |
| මාලාවක් | මෝටර් රථ, AEC-Q100 |
| පැකේජය | ටේප් සහ රීල් (TR) කැපුම් පටිය (CT) Digi-Reel® |
| නිෂ්පාදන තත්ත්වය | ක්රියාකාරී |
| ප්රතිදාන වින්යාසය | ධනාත්මක |
| ප්රතිදාන වර්ගය | සකස් කළ හැකි |
| නියාමකයින් සංඛ්යාව | 1 |
| වෝල්ටීයතාව - ආදානය (උපරිම) | 5.5V |
| වෝල්ටීයතාව - ප්රතිදානය (අවම/ස්ථාවර) | 0.8V |
| වෝල්ටීයතාව - ප්රතිදානය (උපරිම) | 3.6V |
| Voltage Dropout (උපරිම) | 1.39V @ 500mA |
| වත්මන් - ප්රතිදානය | 500mA |
| පීඑස්ආර්ආර් | 60dB ~ 30dB (1kHz ~ 300kHz) |
| පාලන විශේෂාංග | සක්රිය කරන්න, බලය හොඳයි, මෘදු ආරම්භය |
| ආරක්ෂණ විශේෂාංග | ධාරා ඉක්මවා, උෂ්ණත්වයට වඩා, කෙටි පරිපථය, වෝල්ටීයතා අගුලු දැමීම යටතේ (UVLO) |
| මෙහෙයුම් උෂ්ණත්වය | -40°C ~ 125°C |
| සවිකිරීමේ වර්ගය | මතුපිට සවි කිරීම |
| පැකේජය / නඩුව | 10-VFDFN නිරාවරණය වූ පෑඩ් |
| සැපයුම්කරු උපාංග පැකේජය | 10-VSON (3x3) |
| මූලික නිෂ්පාදන අංකය | TPS74701 |
වේෆර් සහ චිප්ස් අතර සම්බන්ධය
වේෆර් පිළිබඳ දළ විශ්ලේෂණය
වේෆර් සහ චිප්ස් අතර සම්බන්ධය අවබෝධ කර ගැනීම සඳහා, පහත දැක්වෙන්නේ වේෆර් සහ චිප් දැනුමෙහි ප්රධාන අංගයන් පිළිබඳ දළ විශ්ලේෂණයකි.
(i) වේෆර් යනු කුමක්ද?
වේෆර් යනු සිලිකන් අර්ධ සන්නායක ඒකාබද්ධ පරිපථ නිෂ්පාදනය සඳහා භාවිතා කරන සිලිකන් වේෆර් වන අතර, ඒවායේ වෘත්තාකාර හැඩය නිසා වේෆර් ලෙස හැඳින්වේ;ඒවා සිලිකන් වේෆර් මත සකස් කර විවිධ පරිපථ සංරචක සෑදීමට සහ නිශ්චිත විද්‍යුත් ක්‍රියාකාරකම් සහිත ඒකාබද්ධ පරිපථ නිෂ්පාදන බවට පත් විය හැක.වේෆර් සඳහා අමුද්‍රව්‍යය සිලිකන් වන අතර පෘථිවි පෘෂ්ඨයේ මතුපිට සිලිකන් ඩයොක්සයිඩ් නොසිඳෙන සැපයුමක් පවතී.සිලිකන් ඩයොක්සයිඩ් ලෝපස් විද්‍යුත් චාප ඌෂ්මකවල පිරිපහදු කර, හයිඩ්‍රොක්ලෝරික් අම්ලය සමඟ ක්ලෝරිනීකෘත කර ආසවනය කර 99.99999999999% සංශුද්ධතාවයකින් යුත් ඉහළ සංශුද්ධතාවයකින් යුත් පොලිසිලිකන් නිෂ්පාදනය කරයි.
(ii) වේෆර් සඳහා මූලික අමුද්‍රව්‍ය
සිලිකන් ක්වාර්ට්ස් වැලි වලින් පිරිපහදු කර ඇති අතර සිලිකන් මූලද්‍රව්‍යයෙන් වේෆර් (99.999%) පවිත්‍ර කරනු ලැබේ, පසුව එය සිලිකන් දඬු බවට පත් කර ඒකාබද්ධ පරිපථ සඳහා ක්වාර්ට්ස් අර්ධ සන්නායක සඳහා ද්රව්ය බවට පත්වේ.
(iii) වේෆර් නිෂ්පාදන ක්‍රියාවලිය
අර්ධ සන්නායක චිප් නිෂ්පාදනය සඳහා මූලික ද්රව්ය වේෆර් වේ.අර්ධ සන්නායක ඒකාබද්ධ පරිපථ සඳහා වඩාත්ම වැදගත් අමුද්‍රව්‍යය වන්නේ සිලිකන් වන අතර එම නිසා සිලිකන් වේෆර් වලට අනුරූප වේ.
සිලිකන් ස්වභාවධර්මයේ සිලිකේට් හෝ සිලිකන් ඩයොක්සයිඩ් ආකාරයෙන් පාෂාණ සහ බොරළු වල බහුලව දක්නට ලැබේ.සිලිකන් වේෆර් නිෂ්පාදනය මූලික පියවර තුනකින් සාරාංශ කළ හැක: සිලිකන් පිරිපහදු කිරීම සහ පිරිසිදු කිරීම, තනි ස්ඵටික සිලිකන් වර්ධනය සහ වේෆර් සෑදීම.
පළමුවැන්න සිලිකන් පිරිසිදු කිරීම වන අතර එහිදී වැලි සහ බොරළු අමුද්‍රව්‍ය 2000 ° C පමණ උෂ්ණත්වයකදී සහ කාබන් ප්‍රභවයක් ඉදිරිපිට විද්‍යුත් චාප උදුනකට දමනු ලැබේ.ඉහළ උෂ්ණත්වවලදී, වැලි සහ බොරළුවල ඇති කාබන් සහ සිලිකන් ඩයොක්සයිඩ් රසායනික ප්‍රතික්‍රියාවකට (කාබන් ඔක්සිජන් සමඟ සංයෝජනය වී සිලිකන් ඉතිරි කරයි) 98% ක පමණ සංශුද්ධතාවයකින් යුත් පිරිසිදු සිලිකන් ලබා ගනී, එය ලෝහමය ශ්‍රේණියේ සිලිකන් ලෙසද හැඳින්වේ. අර්ධ සන්නායක ද්‍රව්‍යවල විද්‍යුත් ගුණ අපද්‍රව්‍ය සාන්ද්‍රණයට ඉතා සංවේදී බැවින් ක්ෂුද්‍ර ඉලෙක්ට්‍රොනික උපාංග සඳහා ප්‍රමාණවත් තරම් පිරිසිදු වේ.එබැවින් ලෝහමය ශ්‍රේණියේ සිලිකන් තවදුරටත් පවිත්‍ර කරනු ලැබේ: තලා දැමූ ලෝහමය ශ්‍රේණියේ සිලිකන් ද්‍රව සිලේන් නිපදවීමට වායුමය හයිඩ්‍රජන් ක්ලෝරයිඩ් සමඟ ක්ලෝරීනීකරණ ප්‍රතික්‍රියාවකට භාජනය කරනු ලැබේ, පසුව එය ආසවනය කර රසායනිකව අඩු කරනු ලබන ක්‍රියාවලියකින් ඉහළ සංශුද්ධතාවයකින් යුත් බහු ස්ඵටික සිලිකන් 99999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999 ක සංශුද්ධතාවයෙන් ඉහළ සංශුද්ධතාවයෙන් ඉහළ සංශුද්ධතාවය ඇතිවේ. %, ඉලෙක්ට්‍රොනික ශ්‍රේණියේ සිලිකන් බවට පත් වේ.
ඊළඟට පැමිණෙන්නේ මොනොක්‍රිස්ටලීන් සිලිකන් වර්ධනය, සෘජු ඇදීමේ (CZ ක්‍රමය) ලෙස හඳුන්වන වඩාත් පොදු ක්‍රමයයි.පහත රූප සටහනේ පෙන්වා ඇති පරිදි, ඉහළ සංශුද්ධතාවයෙන් යුත් පොලිසිලිකන් ක්වාර්ට්ස් කෲසිබල් එකක තබා පිටත වටා ඇති මිනිරන් තාපකයක් සමඟ අඛණ්ඩව රත් කර, ආසන්න වශයෙන් 1400 ° C උෂ්ණත්වය පවත්වා ගනී.උදුනේ ඇති වායුව සාමාන්‍යයෙන් නිෂ්ක්‍රීය වන අතර අනවශ්‍ය රසායනික ප්‍රතික්‍රියා ඇති නොකර පොලිසිලිකන් දිය වීමට ඉඩ සලසයි.තනි ස්ඵටික සෑදීම සඳහා, ස්ඵටිකවල දිශානතිය ද පාලනය කරනු ලැබේ: පොලිසිලිකන් දියවීම සමඟ කබොල්ල කරකවනු ලැබේ, බීජ ස්ඵටිකයක් එහි ගිල්වනු ලැබේ, සහ ඇඳීම් දණ්ඩක් ප්රතිවිරුද්ධ දිශාවට ගෙන යන අතර එය සෙමින් හා සිරස් අතට ඉහළට ඇද දමයි. සිලිකන් දියවීම.උණු කළ පොලිසිලිකන් බීජ ස්ඵටිකයේ පතුලට ඇලී ඇති අතර බීජ ස්ඵටිකයේ දැලිස් සැකැස්මේ දිශාවට ඉහළට වර්ධනය වේ.
