IPD068P03L3G නව මුල් ඉලෙක්ට්‍රොනික සංරචක IC චිප් MCU BOM සේවාව තොගයේ IPD068P03L3G
නිෂ්පාදන ගුණාංග
| TYPE | විස්තර |
| වර්ගය | විවික්ත අර්ධ සන්නායක නිෂ්පාදන |
| Mfr | Infineon Technologies |
| මාලාවක් | OptiMOS™ |
| පැකේජය | ටේප් සහ රීල් (TR) කැපුම් පටිය (CT) Digi-Reel® |
| නිෂ්පාදන තත්ත්වය | ක්රියාකාරී |
| FET වර්ගය | පී-නාලිකාව |
| තාක්ෂණ | MOSFET (ලෝහ ඔක්සයිඩ්) |
| මූලාශ්‍ර වෝල්ටීයතාවයට කාණු (Vdss) | 30 V |
| වත්මන් - අඛණ්ඩ කාණු (Id) @ 25 ° C | 70A (Tc) |
| ධාවක වෝල්ටීයතාවය (උපරිම මාර්ග ක්‍රියාත්මකයි, අවම මාර්ග ක්‍රියාත්මකයි) | 4.5V, 10V |
| Rds On (උපරිම) @ Id, Vgs | 6.8mOhm @ 70A, 10V |
| Vgs(th) (උපරිම) @ Id | 2V @ 150µA |
| ගේට් ගාස්තුව (Qg) (උපරිම) @ Vgs | 91 nC @ 10 V |
| Vgs (උපරිම) | ±20V |
| ආදාන ධාරිතාව (Ciss) (උපරිම) @ Vds | 7720 pF @ 15 V |
| FET විශේෂාංගය | - |
| බලය විසුරුවා හැරීම (උපරිම) | 100W (Tc) |
| මෙහෙයුම් උෂ්ණත්වය | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| සවිකිරීමේ වර්ගය | මතුපිට සවි කිරීම |
| සැපයුම්කරු උපාංග පැකේජය | PG-TO252-3 |
| පැකේජය / නඩුව | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| මූලික නිෂ්පාදන අංකය | IPD068 |
ලේඛන සහ මාධ්‍ය
| සම්පත් වර්ගය | ලින්ක් කරන්න |
| දත්ත පත්රිකා | IPD068P03L3 ජී |
| වෙනත් අදාළ ලියකියවිලි | කොටස් අංක මාර්ගෝපදේශය |
| විශේෂාංග නිෂ්පාදන | දත්ත සැකසුම් පද්ධති |
| HTML දත්ත පත්‍රිකාව | IPD068P03L3 ජී |
| EDA ආකෘති | IPD068P03L3GATMA1 Ultra Librarian විසිනි |
පාරිසරික සහ අපනයන වර්ගීකරණය
| ගුණාංගය | විස්තර |
| RoHS තත්ත්වය | ROHS3 අනුකූල |
| තෙතමනය සංවේදීතා මට්ටම (MSL) | 1 (අසීමිත) |
| තත්ත්වය ළඟා | බලපෑමෙන් තොරව ළඟා වන්න |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
අතිරේක සම්පත්
| ගුණාංගය | විස්තර |
| වෙනත් නම් | IPD068P03L3GATMA1DKR IPD068P03L3GATMA1-ND SP001127838 IPD068P03L3GATMA1CT IPD068P03L3GATMA1TR |
| සම්මත පැකේජය | 2,500 කි |
ට්රාන්සිස්ටරය
ට්‍රාන්සිස්ටරයක් යනු aඅර්ධ සන්නායක උපාංගයපුරුදුව සිටියාවිස්තාරණය කරන්නහෝමාරු කරන්නවිදුලි සංඥා සහබලය.ට්රාන්සිස්ටරය නූතනයේ මූලික ගොඩනැඟිලි කොටස්වලින් එකකිඉලෙක්ට්රොනික උපකරණ.[1]එය සමන්විත වේඅර්ධ සන්නායක ද්රව්ය, සාමාන්යයෙන් අවම වශයෙන් තුනක් සමඟපර්යන්තඉලෙක්ට්රොනික පරිපථයකට සම්බන්ධ කිරීම සඳහා.ඒවෝල්ටියතාවයහෝදැනටට්‍රාන්සිස්ටරයේ පර්යන්ත යුගලයකට යොදන විට තවත් පර්යන්ත යුගලයක් හරහා ධාරාව පාලනය කරයි.පාලිත (ප්‍රතිදාන) බලය පාලන (ආදාන) බලයට වඩා වැඩි විය හැකි නිසා, ට්‍රාන්සිස්ටරයකට සංඥාවක් විස්තාරණය කළ හැකිය.සමහර ට්‍රාන්සිස්ටර තනි තනිව ඇසුරුම් කර ඇත, නමුත් තවත් බොහෝ ඒවා තැන්පත් කර ඇතඒකාබද්ධ පරිපථ.
ඔස්ට්‍රෝ-හංගේරියානු භෞතික විද්යාඥයා ජූලියස් එඩ්ගර් ලිලීන්ෆෙල්ඩ්a යන සංකල්පය යෝජනා කළේයක්ෂේත්ර බලපෑම් ට්රාන්සිස්ටරය1926 දී, නමුත් එකල වැඩ කරන උපාංගයක් සැබැවින් ම තැනීමට නොහැකි විය.[2]ඉදිකරන ලද පළමු වැඩ කරන උපාංගය වූයේ aලක්ෂ්ය ස්පර්ශ ට්රාන්සිස්ටරය1947 දී ඇමෙරිකානු භෞතික විද්යාඥයින් විසින් සොයා ගන්නා ලදීජෝන් බාර්ඩීන්සහවෝල්ටර් බ්‍රැටේන්යටතේ වැඩ කරන අතරතුරවිලියම් ෂොක්ලිහිදීබෙල් රසායනාගාර.තිදෙනා 1956 බෙදා ගත්හභෞතික විද්යාව සඳහා නොබෙල් ත්යාගයඔවුන්ගේ ජයග්රහණය සඳහා.[3]වඩාත් බහුලව භාවිතා වන ට්‍රාන්සිස්ටර වර්ගය වේලෝහ-ඔක්සයිඩ්-අර්ධ සන්නායක ක්ෂේත්‍ර බලපෑම් ට්රාන්සිස්ටරය(MOSFET) විසින් සොයා ගන්නා ලදීමොහොමඩ් අටල්ලාසහDawon Kahng1959 දී Bell Labs හි.[4][5][6]ට්‍රාන්සිස්ටර ඉලෙක්ට්‍රොනික ක්ෂේත්‍රයේ විප්ලවීය වෙනසක් ඇති කළ අතර කුඩා හා මිල අඩු සඳහා මග පෑදීයගුවන් විදුලි,ගණක යන්ත්ර, සහපරිගණක, වෙනත් දේ අතර.
බොහෝ ට්‍රාන්සිස්ටර ඉතා පිරිසිදුව සාදා ඇතසිලිකන්, සහ සමහරක් වෙතින්ජර්මනියම්, නමුත් සමහර වෙනත් අර්ධ සන්නායක ද්රව්ය සමහර විට භාවිතා වේ.ට්‍රාන්සිස්ටරයකට ඇත්තේ එක් ආරෝපණ වාහකයක් පමණි, ක්ෂේත්‍ර-ප්‍රයෝග ට්‍රාන්සිස්ටරයක හෝ ආරෝපණ වාහක වර්ග දෙකක් තිබිය හැක.බයිපෝලර් හන්දි ට්‍රාන්සිස්ටරයඋපකරණ.සමඟ සසඳන විටරික්ත නළ, ට්‍රාන්සිස්ටර සාමාන්යයෙන් කුඩා වන අතර ක්‍රියා කිරීමට අඩු බලයක් අවශ්‍ය වේ.ඇතැම් රික්තක නල ඉතා ඉහළ මෙහෙයුම් සංඛ්‍යාත හෝ ඉහළ ක්රියාකාරී වෝල්ටීයතාවකදී ට්‍රාන්සිස්ටරවලට වඩා වාසි ඇත.බොහෝ ට්‍රාන්සිස්ටර වර්ග බහු නිෂ්පාදකයින් විසින් සම්මත පිරිවිතරයන්ට අනුව සාදා ඇත.
