නව මුල් ඒකාබද්ධ පරිපථ BSP772T IP5306 BSZ040N06LS5 TLE7270-2D IC චිපය
BSZ040N06LS5
Infineon's OptiMOS™ 5 power MOSFETs තාර්කික මට්ටම රැහැන් රහිත ආරෝපණය, ඇඩප්ටරය සහ ටෙලිකොම් යෙදුම් සඳහා ඉතා සුදුසු වේ.උපාංගවල අඩු ගේට්ටු ආරෝපණය (Q g) සන්නායක පාඩු සම්මුතියකින් තොරව මාරුවීම් පාඩු අඩු කරයි.වැඩි දියුණු කළ කුසලතා සංඛ්‍යා ඉහළ මාරුවීම් සංඛ්‍යාතවල ක්‍රියා කිරීමට ඉඩ සලසයි.තවද, තාර්කික මට්ටමේ ධාවකය අඩු ගේට්ටුවක් සපයයිMOSFETs 5V සහ සෘජුවම ක්ෂුද්‍ර පාලක වලින් ධාවනය කිරීමට ඉඩ සලසන වෝල්ටීයතාව (V GS(th)) රඳවා තබා ගන්න.
විශේෂාංග සාරාංශය
කුඩා පැකේජයක අඩු R DS(on)
අඩු ගේට්ටු ගාස්තු
අඩු ප්රතිදාන ගාස්තුව
තාර්කික මට්ටමේ ගැළපුම
ප්රතිලාභ
ඉහළ බල ඝනත්ව සැලසුම්
ඉහළ මාරු වීමේ වාර ගණන
5V සැපයුම් ලබා ගත හැකි සෑම තැනකම අඩු කරන ලද කොටස් ගණන
ක්ෂුද්‍ර පාලක වලින් කෙලින්ම ධාවනය වේ (මන්දගාමී මාරු වීම)
පද්ධතියේ පිරිවැය අඩු කිරීම
පරාමිතික
| පරාමිතික | BSZ040N06LS5 |
| අයවැය මිල €/1k | 0.56 |
| සිස් | 2400 pF |
| කොස් | 500 pF |
| ID (@25°C) උපරිම | 101 ඒ |
| IDpuls උපරිම | 404 ඒ |
| සවි කිරීම | SMD |
| මෙහෙයුම් උෂ්ණත්වය අවම උපරිම | -55 °C 150 °C |
| Ptot උපරිම | 69 ඩබ්ලිව් |
| පැකේජය | PQFN 3.3 x 3.3 |
| පින් ගණන | පින් 8 ක් |
| ධ්රැවීයතාව | N |
| QG (ටයිප් @4.5V) | 18 nC |
| Qgd | 5.3 nC |
| RDS (on) (@4.5V LL) උපරිම | 5.6 mΩ |
| RDS (on) (@4.5V) උපරිම | 5.6 mΩ |
| RDS (on) (@10V) උපරිම | 4 mΩ |
| Rth උපරිම | 1.8 K/W |
| RthJA උපරිම | 62 K/W |
| RthJC උපරිම | 1.8 K/W |
| VDS උපරිම | 60 V |
| VGS(th) min max | 1.7 V 1.1 V 2.3 V |
ඔබගේ පණිවිඩය මෙහි ලියා අප වෙත එවන්න
